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2D APD探测器阵列  


  InGaAs APD 2D光纤耦合探测阵列
 
品种齐全
质量可靠
专业团队
交货准时
 
商品参数
品牌
瑞合
型号
RH-TC-1550-4-150-4-150APD
波长范围
700-1700nm
光敏面直径
80um
增益
20@VR=VBR-1V
-3dB截止频率
1.4GHz@V R=V BR-3V
暗电流
10nA@V R=V BR-3V
结电容
0.7pF@V R=V BR-3V,f=1MHz
 
 
产品特点
灵敏度高
低暗电流,高响应,探测灵敏度更高。适用于高速运动物体激光测距、自由空间光通信、红外在线监测、成像等应用。

 
 
NO.2
定位精度高

探测器前端搭载了高精度2D光纤阵列,能对探测物体进行面阵化探测,并输出高精度的位置信息。

NO.3
适合探测狭小空间

光纤阵列探头与电控部分分离,探头具有体积小巧,抗辐射、抗电磁干扰、耐高低温的优点。对环境恶劣的狭小空间探测有着得天独厚的优势。

 
 
产品实拍
 
 
 

  结合高精度2D光纤阵列, 我公司推出2D高速探测器阵列。该产品具有 的定位功能,能对探测物体进行面阵化探测,并输出高精度的位置信息。适用于高速运动物体、高速反应过程的探测、监测、成像等应用。

        本产品将2D光纤阵列探头与电控部分分离,探头具有体积小、抗辐射、抗电磁干扰、耐高低温的优点。对环境恶劣的狭小空间探测有着得天独厚的优势。

        该产品还可为其提供偏置电源和跨阻放大器(前放),并根据需求配备主放大器、波形鉴别等电路。

 

InGaAs APD探测器阵列技术参数
波长范围 Wavelength: 800-1700nm
光敏区直径 Active diameter: 50μm
响应度 Responsivity: 0.9A/W (λ=1550nm,φe=1μW, M=1)
放大倍数 Multiplication gain: 10
带宽 Bandwidth: 2GHz (-3dB)
暗电流 Dark Current: 0.8nA 
总电容 Total capacitance: 0.7pF
反向击穿电压 Reverse breakdown voltage: 44V
峰值功率 Peak Power: 300μW
光纤耦合方式 Fiber Coupling: FC/PC

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